Это может стать одной из крупнейших сделок, заключенных на рынке производителей полупроводников в этом году. Немецкая компания Bosch объявила о намерении приобрести американского производителя микросхем TSI Semiconductors и инвестировать в новый бизнес не менее 1,5 миллиарда долларов США в течение следующих нескольких лет.
В настоящее время ни одна из сторон не разглашает возможную цену такой сделки или конкретные условия приобретения. TSI Semiconductors (чьи полупроводниковые производственные мощности расположены в Калифорнии) насчитывает около 250 сотрудников и производит интегральные схемы с использованием 200-миллиметровых кремниевых пластин. После приобретения Bosch намерен производить микросхемы SiC (Silicon Carbide; карбид кремния) из таких пластин на одном из американских заводов TSI Semiconductors. Ожидается, что производственная линия такого типа заработает там через три года.
Полупроводники из карбида кремния могут работать при более высоких температурах, напряжениях и частотах по сравнению с другими полупроводниками, что делает их более эффективными в устройствах на солнечных батареях и электромобилях. Сама компания Bosch производит микросхемы этого типа в течение последних трех лет на своем немецком заводе, расположенном вблизи Штутгарта, Германия. В настоящее время этот завод расширяется, чтобы к концу 2025 года начать производить микросхемы SiC также с использованием кремниевых пластин диаметром 200 миллиметров.
Bosch инвестирует значительные средства в эту технологию, поскольку рынок микросхем SiC в последние годы растет очень быстро, в среднем на 30 процентов каждый год. Они используются в автомобильной промышленности, где применяются в электромобилях. Это связано с тем, что они обеспечивают им больший запас хода и возможность быстро заряжать аккумуляторы, потребляя при этом на 50 процентов меньше энергии. Чипы из карбида кремния также могут обеспечить по меньшей мере на шесть процентов больший запас хода по сравнению с кремниевыми чипами, изготовленными из других материалов.
