Це може стати однією з найбільших угод, укладених на ринку виробників напівпровідників цього року. Німецька компанія Bosch оголосила про намір придбати американського виробника мікросхем TSI Semiconductors та інвестувати в новий бізнес щонайменше 1,5 мільярда доларів США протягом наступних кількох років.
Наразі жодна зі сторін не розголошує можливу ціну такої угоди або конкретні умови придбання. TSI Semiconductors (чиї напівпровідникові виробничі потужності розташовані в Каліфорнії) налічує близько 250 співробітників і виробляє інтегральні схеми з використанням 200-міліметрових кремнієвих пластин. Після придбання Bosch має намір виробляти мікросхеми SiC (Silicon Carbide; карбід кремнію) з таких пластин на одному з американських заводів TSI Semiconductors. Очікується, що виробнича лінія такого типу запрацює там через три роки.
Напівпровідники з карбіду кремнію можуть працювати при більш високих температурах, напругах і частотах порівняно з іншими напівпровідниками, що робить їх більш ефективними в пристроях на сонячних батареях і електромобілях. Сама компанія Bosch виробляє мікросхеми цього типу протягом останніх трьох років на своєму німецькому заводі, розташованому поблизу Штутгарта, Німеччина. Наразі цей завод розширюється, щоб до кінця 2025 року почати виробляти мікросхеми SiC також з використанням кремнієвих пластин діаметром 200 міліметрів.
Bosch інвестує значні кошти в цю технологію, оскільки ринок мікросхем SiC в останні роки зростає дуже швидко, в середньому на 30 відсотків щороку. Вони використовуються в автомобільній промисловості, де застосовуються в електромобілях. Це пов'язано з тим, що вони забезпечують їм більший запас ходу і можливість швидко заряджати акумулятори, споживаючи при цьому на 50 відсотків менше енергії. Чіпи з карбіду кремнію також можуть забезпечити щонайменше на шість відсотків більший запас ходу порівняно з кремнієвими чіпами, виготовленими з інших матеріалів.
