Компания Samsung Electronics представила чип памяти нового поколения HBM3E 12H, который, по утверждению производителя, является самым быстрым в мире чипом для обработки данных искусственного интеллекта. Устройство имеет рекордную пропускную способность до 1,25 Тб/с и емкость 36 Гб.
Преимущества новой разработки
HBM3E 12H стал возможным благодаря усовершенствованной технологии вертикального стекирования памяти. Samsung смог разместить 12 слоев памяти в корпусе высотой всего 8 слоев. Это позволило повысить плотность чипа на 20% по сравнению с предыдущим HBM3 8H и достичь рекордных показателей быстродействия и объема.
Применение в сфере искусственного интеллекта
Новый чип предназначен в первую очередь для использования в системах искусственного интеллекта, требующих обработки огромных массивов данных. По прогнозам, HBM3E 12H станет частью будущих графических процессоров Nvidia серии H200. Это позволит значительно ускорить обучение нейронных сетей и другие задачи машинного обучения.
Перспективы дальнейшего развития
Хотя Samsung только анонсировал HBM3E 12H, уже сейчас инженеры работают над следующим поколением HBM4E. Ожидается, что оно обеспечит еще большую пропускную способность до 2 Тб/с. Такие достижения позволят реализовать полностью автономные системы искусственного интеллекта нового уровня.
