Компанія Samsung Electronics представила чип пам'яті нового покоління HBM3E 12H, який, за твердженням виробника, є найшвидшим у світі чипом для обробки даних штучного інтелекту. Пристрій має рекордну пропускну здатність до 1,25 Тб/с та ємність 36 Гб.
Переваги нової розробки
HBM3E 12H став можливим завдяки вдосконаленій технології вертикального стекування пам’яті. Samsung зміг розмістити 12 шарів пам’яті в корпусі висотою всього 8 шарів. Це дозволило підвищити щільність чипа на 20% порівняно з попереднім HBM3 8H і досягти рекордних показників швидкодії та об’єму.
Застосування в сфері штучного інтелекту
Новий чип призначений в першу чергу для використання в системах штучного інтелекту, які потребують обробки величезних масивів даних. За прогнозами, HBM3E 12H стане частиною майбутніх графічних процесорів Nvidia серії H200. Це дозволить значно пришвидшити навчання нейронних мереж та інші задачі машинного навчання.
Перспективи подальшого розвитку
Хоча Samsung тільки-но анонсував HBM3E 12H, вже зараз інженери працюють над наступним поколінням HBM4E. Очікується, що воно забезпечить ще більшу пропускну здатність до 2 Тб/с. Такі досягнення дозволять реалізувати повністю автономні системи штучного інтелекту нового рівня.
